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Fairchild/ON Semiconductor FDB3652
| Artikelnummer: | FDB3652 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Fairchild/ON Semiconductor FDB3652 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDB3652.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263AB) Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 61A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc) Verpackung Original-Reel® Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta), 61A (Tc) FDB3652 Einzelheiten PDF [English] FDB3652 PDF - EN.pdf -
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